Disco Duro Samsung MZ-VAP4T0BW 4 TB SSD

El disco duro Samsung es un dispositivo de almacenamiento de alta capacidad y tecnología avanzada diseñado para maximizar el rendimiento en sistemas modernos. Se trata de un SSD M.2 con una impresionante capacidad de 4 TB, que proporciona amplio espacio para almacenar datos, aplicaciones o archivos multimedia con rapidez y seguridad. Este modelo destaca por integrar conexiones de última generación, incluyendo PCI Express 4.0 y PCI Express 5.0, estándares que ofrecen una elevada velocidad de transferencia y una baja latencia, optimizando de este modo la eficiencia en tareas que demandan un acceso rápido al disco, como la edición de video, gaming o entornos profesionales. Su formato M.2 facilita la instalación en equipos compactos y de alta gama, asegurando una integración discreta y sin cables adicionales. Además, cuenta con un diseño en color negro, un aspecto neutro que encaja con cualquier configuración interna. La tecnología SSD asegura una menor generación de calor, mayor resistencia a golpes y un funcionamiento silencioso en comparación con discos duros mecánicos tradicionales. Este producto está pensado para usuarios exigentes y sistemas que requieren capacidad, velocidad y fiabilidad en el almacenamiento interno de datos. En conjunto, este disco duro Samsung representa una solución avanzada y preparada para satisfacer las necesidades actuales y futuras en materia de almacenamiento de alto rendimiento.

• Conexiones:
  • M.2
  • PCI Express 4.0
  • PCI Express 5.0
• Tipo de Memoria: V-NAND TLC
• Disco Duro: 4 TB SSD
• Color: Negro
• Compatible:
  • SSD NVMe
  • PC/Notebook
• Tipo: SSD
• Seguridad: AES 256-bits
• Rango de temperaturas de trabajo: 0º / 70º
• Voltaje: 3,3 V

Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil

• SDD, capacidad: 4 TB
• Factor de forma de disco SSD: M.2
• Interfaz: PCI Express 5.0
• NVMe: Si
• Tipo de memoria: V-NAND TLC
• Componente para: PC/ordenador portátil
• Encriptación de hardware: Si
• Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
• Velocidad de lectura: 14800 MB/s
• Velocidad de escritura: 13400 MB/s
• Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
• Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
• Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
• Función DevSleep: Si
• Soporte S.M.A.R.T.: Si
• Soporte TRIM: Si
• Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
• Voltaje de operación: 3,3 V
• Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W
• Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W
• Ancho: 80,2 mm
• Profundidad: 2,38 mm
• Altura: 22,1 mm
• Peso: 9 g
• Tipo de embalaje: Caja
• Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
• Golpes en funcionamiento: 1500 G
• Periodo de garantía: 5 año(s)